10G 1310nm FP Chip
描述
10G 1310nm FP 单模边沿发射半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于2km传输距离的4G无线前传接入网络。