10G PD/Array
描述
10G PIN & PIN Array PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GS电极共面结构,50um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽,低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在10G&40G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。