25G SM PD/Array
描述
25G PIN & PIN Array PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GSG电极共面结构,20/30um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽,低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在25G&100G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。